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美國吉時(shí)利keithley半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)

日期：2012-11-30瀏覽：3720次

美國吉時(shí)利keithley半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)

•概述

•測量范例

•介紹 ACS 基礎(chǔ)版

•測試方案

•常用產(chǎn)品

•相關(guān)資料

•其它應(yīng)用領(lǐng)域

美國吉時(shí)利keithley半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)概述

半導(dǎo)體器件 / 微電子實(shí)驗(yàn)室是現(xiàn)代電子工程教育課程的一個(gè)主要部分。它允許大學(xué)生應(yīng)用他們在器件物理學(xué)和 VLSI 課程學(xué)到的內(nèi)容。在半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)課程中，學(xué)生通過“自己動(dòng)手”學(xué)習(xí)半導(dǎo)體微米 / 納米制造技術(shù)、工藝和電特性分析。教育經(jīng)驗(yàn)包括熟悉工藝設(shè)計(jì)、仿真和集成。當(dāng)理解了這些概念后，學(xué)生將制造、分析和評(píng)估各種半導(dǎo)體器件，例如二極管、雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管、無源元件乃至集成電路器件。

對于實(shí)驗(yàn)室研究的所有半導(dǎo)體器件，zui常見的電特性分析方法是：

MOSFET 的典型 I-V 圖

典型 C-V 測線圖

1.電流與電壓（I-V）測試顯示了流過的直流電流和電子器件以及器件兩端直流電壓之間的關(guān)系。

2.電容與電壓（C-V）測試用于分析半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)，例如表面俘獲電荷密度、固定電荷和氧化層電荷。

美國吉時(shí)利keithley半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)測量范例

半導(dǎo)體器件 / 微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)室典型的主題包括制造和分析各種器件：

1. MOS 電容器

主題

C-V 曲線（高頻：100kHz）：

摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。

I-V 曲線分析：

電荷建立（測量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源）；氧化層電容測定；與 C-V 曲線比較。

C-V 曲線（準(zhǔn)靜態(tài)）結(jié)合 C-V 曲線：

表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si （100）的表面態(tài)密度 Dit = f （Ψs）與 Si （111）的相比：方向和后處理退火的影響。

C-V 曲線（高頻：100kHz）：

移動(dòng)氧化層電荷密度（偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V）

2. 雙極結(jié)型晶體管

主題

正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f （Vce>0,Ib）, Iceo （f）測量。

正向 CE 輸入特性：Ib = f （Vbe）對于幾個(gè) Vce 正值。

正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f（Vbe >0）.

確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。

Βf 與 log（Ic）的關(guān)系：低注入和高注入的效果。

非理想特性：爾利電壓。

反向 CE 輸出特性： Ic=f（Vce<0,Ib）, Iceo（r）.

反向 CE 傳輸特性：Ib=f（Vbe）對于幾個(gè)Vce負(fù)值。

反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f（Vbc>0）.

確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。

Βr 與 log（Ie）的關(guān)系：低注入和高注入的效果。

Vce（sat） = Vbe（on） – Vbc（on）確定，對于給定的 Ib 電流。

Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。

BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。

3. 亞微米集成 MOSFET

主題

輸出特性：IDS = f（VDS,VGS）:

p型 MOSFET （增強(qiáng)或耗盡），溝道長度調(diào)制參數(shù)（λ）在飽和區(qū)域（VDS<–3V）有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。

傳輸特性：

IDS = f（VGS） and Transconductance gm = f（VGS） in the linear region （VDS = –0.1V）: Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯底偏壓特性：

IDS = f（VGS,VBS>0）, determination of the γ factor in the linear region （VDS = –0.1V）. Doping concentration substrate.

亞閾值特性：

log （IDS） = f（VGS） for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering （VT shift） effect.

襯底電流特性：

log （Ibs） = f（VGS） for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.

使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：

比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

美國吉時(shí)利keithley半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)介紹 ACS 基礎(chǔ)版

ACS 基礎(chǔ)版能讓工程專業(yè)學(xué)生在學(xué)習(xí)基礎(chǔ)電子器件過程中獲得的學(xué)習(xí)效果并且?guī)椭芯可涌煜乱淮雽?dǎo)體或納米級(jí)器件的特性分析研究。當(dāng)配合一臺(tái)或多臺(tái) 2600A 系列數(shù)字源表使用時(shí)，ACS 基礎(chǔ)版成為一款強(qiáng)大但簡單易用的元件特性分析和曲線追蹤工具。它具有全面的參數(shù)分析套件，因此能快捷地提供理解基本電子器件如何工作或者理解新型器件或材料氣的電特性所需的測試結(jié)果。

當(dāng)您需要快速獲取電子器件或封裝產(chǎn)品的某些數(shù)據(jù)時(shí)，為 ACS 基礎(chǔ)版開發(fā)并基于向?qū)У挠脩艚涌谀芟癯Ｒ姷?FET 曲線跟蹤測試那樣容易地查找和運(yùn)行您需要的測試。與傳統(tǒng)模擬曲線跟蹤軟件非常類似，ACS 基礎(chǔ)版能快速產(chǎn)生電子器件或封裝產(chǎn)品的一系列曲線，而且能靈活、容易地對結(jié)果進(jìn)行保存、比較和關(guān)聯(lián)。

主要特性和優(yōu)點(diǎn)：

測量時(shí)間短 – 安裝簡單、直觀的測試選擇向?qū)Р⑶覂?nèi)建測試；

無需編寫代碼 - ACS 具有直觀的 GUI 能快速簡化 I-V 測試、分析和結(jié)果；

優(yōu)化器件測試、驗(yàn)證和分析應(yīng)用；

硬件靈活性 – 動(dòng)態(tài)地加入或移除設(shè)備以滿足獨(dú)立測試的需要；

預(yù)裝應(yīng)用庫 – 一組極豐富的超快、易于訪問的測試庫；

模塊化的靈活軟件架構(gòu)便于擴(kuò)展系統(tǒng)并使系統(tǒng)應(yīng)用能滿足的測試需要；

免費(fèi)可選后臺(tái)軟件許可，能容易地在另一臺(tái)PC上開發(fā)新的測試序列，無需掛起正在執(zhí)行工作的系統(tǒng)。

測試方案

半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)室的核心是參數(shù)分析儀。簡單易用的 Model 4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室級(jí)的直流和脈沖器件特性分析、實(shí)時(shí)繪制以及高精密和亞飛安分辨率的分析。4200-SCS 結(jié)合了 4200-CVU 的集成選件，現(xiàn)能讓半導(dǎo)體測試用戶靈活地創(chuàng)建集成了 DC、脈沖和 C-V 測試功能的方案，所有功能都囊括在節(jié)省空間的機(jī)殼中和集成的測試環(huán)境中。

為了簡單、快速地測量二極管、晶體管、運(yùn)放等有源器件和的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，吉時(shí)利的 2400 系列 SourceMeter®儀器和 2600 系列數(shù)字源表在一臺(tái)儀器中集成了精密電源、真電流源和 DMM 等多種測試功能。2600 系列還包含任意波形發(fā)生器、帶測量功能的電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載和觸發(fā)控制器。

當(dāng)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器時(shí)，管理電源對于防止器件損壞而言至關(guān)重要。分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻需要輸出極低電流和測量極低電壓的能力。吉時(shí)利的 delta 模式（電流反轉(zhuǎn)極性）電阻測量功能結(jié)合了 6220 或 6221 的低電流 DC 源能力以及2182A 的低壓測量精度，從而非常適合于低阻測量（低至 10 nΩ）適于分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。

可免費(fèi)下載的 LabTracer® 2.0 軟件允許用戶快速、簡單地配置和控制多達(dá)8條2600系列或2400系列源表的通道用于曲線追蹤或器件特性分析。它具有簡單的圖形用戶接口用于設(shè)置、控制、數(shù)據(jù)采集和繪制數(shù)字源表的 DUT 數(shù)據(jù)。當(dāng)LabTracer與數(shù)字源表結(jié)合使用時(shí)，就能為實(shí)驗(yàn)室的用戶提供強(qiáng)大、易用和經(jīng)濟(jì)的機(jī)箱方案。3400 系列脈沖/碼型發(fā)生器具有碼型發(fā)生和全面控制脈沖幅度、上升時(shí)間、下降時(shí)間、寬度和占空比等各種脈沖參數(shù)能力，因而非常適合納米電子研究人員、半導(dǎo)體器件研究人員、射頻器件設(shè)計(jì)工程師和教育工作者等用戶的需要。

常用產(chǎn)品

點(diǎn)擊以下鏈接將您直接帶到每款產(chǎn)品的網(wǎng)頁，其中包含該產(chǎn)品的手冊、軟件和驅(qū)動(dòng)的鏈接。

美國吉時(shí)利keithley4200半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

美國吉時(shí)利keithley4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

美國吉時(shí)利keithley4200-CVU型集成C-V選件用于4200-SCS

美國吉時(shí)利keithley4200- PIV-A型脈沖C-V選件用于4200-SCS

數(shù)字源表

美國吉時(shí)利keithley2400型通用數(shù)字源表

美國吉時(shí)利keithley2410型高壓源表

美國吉時(shí)利keithley2420型3A源表

美國吉時(shí)利keithley2425型高功率源表

美國吉時(shí)利keithley2430型脈沖源表

美國吉時(shí)利keithley2440型源表

美國吉時(shí)利keithley2601型高吞吐量源表

美國吉時(shí)利keithley2602型雙通道高吞吐量源表

美國吉時(shí)利keithley2611型高壓和脈沖輸出源表

美國吉時(shí)利keithley2612型雙通道高壓和脈沖輸出源表

美國吉時(shí)利keithley2635型低電流和脈沖輸出源表

美國吉時(shí)利keithley2636型雙通道低電流和脈沖輸出源表

脈沖發(fā)生器

美國吉時(shí)利keithley3401型單通道脈沖 / 碼型發(fā)生器

美國吉時(shí)利keithley3402型雙通道脈沖 / 碼型發(fā)生器

電流源 / 納伏表

美國吉時(shí)利keithley6220型直流電流源

美國吉時(shí)利keithley6221型交流和直流電流源

美國吉時(shí)利keithley2182A納伏表

小冊子

美國吉時(shí)利keithley4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

美國吉時(shí)利keithley4200-CVU集成 C-V 選件用于 4200-SCS

美國吉時(shí)利keithley2600系列數(shù)字源表多通道IV測試儀 – 用于快速研發(fā)和功能測試的可擴(kuò)縮方案

美國吉時(shí)利keithley2400系列數(shù)字源表系列

美國吉時(shí)利keithley吉時(shí)利脈沖方案

美國吉時(shí)利keithley精密、低電流源用于器件測試和分析

半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)

美國吉時(shí)利keithley4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)產(chǎn)品介紹

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美國吉時(shí)利keithley4200-PIV-A型脈沖I-V 包用于4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)產(chǎn)品瀏覽

數(shù)字源表產(chǎn)品介紹

美國吉時(shí)利keithley SourceMeter®儀器（電流源 / 電壓源和測量產(chǎn)品）

美國吉時(shí)利keithley2400型數(shù)字源表

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美國吉時(shí)利keithley2611型和2612型 SourceMeter®儀器（200V）

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美國吉時(shí)利keithley產(chǎn)品數(shù)據(jù)

美國吉時(shí)利keithley4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù)手冊

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白皮書4200-SCS

基于吉時(shí)利4200-SCS 的局域網(wǎng)實(shí)驗(yàn)室用于微電子工程教育

縮短HCI測試時(shí)間的白皮書

用于先進(jìn)CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試

高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析

數(shù)字源表

為大學(xué)生半導(dǎo)體制造實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)特性分析系統(tǒng)

用6線歐姆測量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測量

FPD技術(shù)演進(jìn)帶來新的測試現(xiàn)實(shí)

新的測試定序儀器降低器件制造商的測試成本

電流源 / 納伏表

新型儀器能穩(wěn)住鎖定狀態(tài)

在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測量

一種微分電導(dǎo)測量的改進(jìn)方法

應(yīng)用筆記

4200-SCS

#2361創(chuàng)建用于 4200-SCS 的寫探頭驅(qū)動(dòng)程序

#2240評(píng)估氧化層的可靠性

#2241用低噪聲 4200-SCS 進(jìn)行超低電流測量

#2197熱載流子導(dǎo)致 MOSFET 器件性能退化的評(píng)估

#2239用4200進(jìn)行柵極電介質(zhì)電容 - 電壓特性分析

在集成電路的觸點(diǎn)級(jí)探測晶體管

使用吉時(shí)利4200-SCS監(jiān)測MOSFET器件溝道熱載流子（CHC）退化

利用4200-SCS和 Zyvex S100型納米控制器實(shí)現(xiàn)納米線和納米管的 I-V 測量

#2475用4200-SCS實(shí)現(xiàn)4探針電阻率和霍爾電壓測量

基于4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)的MOS電容C-V特性分析

面向CMOS晶體管的4200 脈沖IV測量

#2876使用4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)對太陽能 / 光伏電池進(jìn)行 I-V 和 C-V 測量

#2851用4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)和3400系列脈沖 / 碼型發(fā)生器進(jìn)行電荷泵測量

#2311RF功率晶體管的直流電氣特性分析

脈沖發(fā)生器

#2851 用 4200-SCS 半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)和 3400 系列脈沖 / 碼型發(fā)生器進(jìn)行電荷泵測量

電流源 / 納伏表

#2611 基于 6221 / 2182A 組合的低電平脈沖電氣特性分析

#2615 使用四點(diǎn)共線探針和 6221 電流源確定電阻率和電導(dǎo)率類型

其它應(yīng)用領(lǐng)域

電路基礎(chǔ)電子實(shí)驗(yàn)室

納米科學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室

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