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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：PRECISE S200替代吉時(shí)利KEITHLEY2400源表

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-06-11

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

堅(jiān)融實(shí)業(yè)——一家致力于為祖國(guó)用戶提供國(guó)產(chǎn)PRECISE S200替代吉時(shí)利KEITHLEY2400源表儀器設(shè)備、測(cè)試方案、技術(shù)培訓(xùn)、維修計(jì)量全面服務(wù)的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。

產(chǎn)品特性Product characteristics

專業(yè)儀器設(shè)備與測(cè)試方案供應(yīng)商——上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jiān)友（上海）測(cè)量?jī)x器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，為原安捷倫Agilent【現(xiàn)是德KEYSIGHT】品牌技術(shù)經(jīng)理-堅(jiān)JET與吉時(shí)利KEITHLEY【現(xiàn)泰克Tektronix】品牌產(chǎn)品經(jīng)理-融YOO共同創(chuàng)辦，專注工業(yè)測(cè)試領(lǐng)域十六年，志在破舊立新！*進(jìn)口儀器設(shè)備大多數(shù)廠家僅在國(guó)內(nèi)設(shè)銷售點(diǎn)，但技術(shù)支持薄弱甚至沒(méi)有，而代理經(jīng)銷商也只做商務(wù)，不做售前技術(shù)支持/測(cè)試方案和售后使用培訓(xùn)/維修校準(zhǔn)的空白。我們的技術(shù)型銷售均為本科以上學(xué)歷，且均有10年以上測(cè)試行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，與客戶互惠互利合作雙贏，重在協(xié)助用戶采購(gòu)與技術(shù)工程師的工作，提供較有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈管理與售前售后技術(shù)支持。堅(jiān)融實(shí)業(yè)——一家致力于為祖國(guó)用戶提供儀器設(shè)備、測(cè)試方案、技術(shù)培訓(xùn)、維修計(jì)量全面服務(wù)的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。

國(guó)產(chǎn)PRECISE S200替代吉時(shí)利KEITHLEY2400源表應(yīng)用領(lǐng)域

各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：

離散和無(wú)源元件

–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻

–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等

簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)、傳感器

集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）

–模擬IC

–射頻集成電路（RFIC）

–專用集成電路（ASIC）

–片上系統(tǒng)（SoC）器件

光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器

圓片級(jí)可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、電遷移

太陽(yáng)能電池

電池

暫態(tài)抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器

電路保護(hù)器件:

TVS、MOV、熔絲

安全氣囊

連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器

碳納米管

半導(dǎo)體納米線

碳納米管 FET

納米傳感器和陣列

單電子晶體管

分子電子

有機(jī)電子

基本運(yùn)放電路

二極管和電路

晶體管電路

測(cè)試：

漏流

低壓、電阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析

隔離與軌跡電阻

溫度系數(shù)

正向電壓、反向擊穿、漏電流

直流參數(shù)測(cè)試

直流電源

HIPOT

介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)

太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)

高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)

復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件

碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)

測(cè)量碳納米管電氣特性

提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量

在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量

納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量

提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性

一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法

納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)

納米級(jí)材料的電氣測(cè)量

降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)

迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)

測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓

用微微微安量程測(cè)量電流

柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析

評(píng)估氧化層的可靠性

半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器

輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻

低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。

用于CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試

高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析

用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量

配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)

電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試

多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步

高亮度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試

OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試

在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析

數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)

連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案

射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

VCSEL測(cè)試、光伏電池的I-V特性、IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試、產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖、提升多引腳器件的生產(chǎn)量、創(chuàng)建可擴(kuò)縮、多引腳、多功能IC測(cè)試系統(tǒng)、激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐率直流、二極管生產(chǎn)測(cè)試、高亮度、可見(jiàn)光LED、驗(yàn)證變阻器、電池放電/充電周期、配置電阻網(wǎng)絡(luò)、大電流變阻器、熱敏電阻的生產(chǎn)測(cè)試

規(guī)格參數(shù)

電壓 源 測(cè)量

量程 分辨率 準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts) 分辨率 準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)

300mV 30uV 0.1%±300uV 30uV 0.1%±300uV

3V 300uV 0.1%±500uV 300uV 0.1%±500uV

30V 3mV 0.1%±3mV 3mV 0.1%±3mV

300V 30mV 0.1%±30mV 30mV 0.1%±30mV

電流 源 測(cè)量

量程 分辨率 準(zhǔn)確度±(% rdg.+A) 分辨率 準(zhǔn)確度±(% rdg.+A)

100nA 10pA 0.1%±0.5nA 10pA 0.1%±0.5nA

1uA 100pA 0.1%±3nA 100pA 0.1%±3nA

10uA 1nA 0.1%±5nA 1nA 0.1%±5nA

100uA 10nA 0.1%±50nA 10nA 0.1%±50nA

1mA 100nA 0.1%±300nA 100nA 0.1%±300nA

10mA 1uA 0.1%±5uA 1uA 0.1%±5uA

100mA 10uA 0.1%±20uA 10uA 0.1%±20uA

1A 100uA 0.1%±2mA 100uA 0.1%±2mA

備注：

大輸出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：電壓源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

電流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

過(guò)量程：105%量程，源和測(cè)量；

穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；

寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；

線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏移<80uV；

大采樣速率：1000S/s；

觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置 。

選型指南

型號(hào) S100 S200 S300

源精度 0.1% 0.1% 0.1%

測(cè)量精度 0.1% 0.1% 0.1%

大功率 30W 30W 30W

小電壓量程 300mV 300mV 300mV

大電壓量程 30V 100V 300V

小電流量程 100nA 100nA 100nA

大電流量程 1A 1A 1A

把簡(jiǎn)單帶給用戶

源表 = 高精度雙極性可編程電源 + 高精度雙極性可編程電子負(fù)載 + 數(shù)字萬(wàn)用表，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的 IV 測(cè)量任務(wù)，用于創(chuàng)建快速、功能強(qiáng)大的電子器件測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng)。

傳統(tǒng)的萬(wàn)用表-電源組合方式需要編程實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制及同步，這種組合的開(kāi)發(fā)建立和維護(hù)都需要時(shí)間，而且購(gòu)買整體成本高。源表不需要這種多臺(tái)儀器相關(guān)復(fù)雜同步連接問(wèn)題，簡(jiǎn)化了測(cè)試本身，提升了測(cè)試效率。而且源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5數(shù)位，測(cè)量結(jié)果比傳統(tǒng)方式更精確。

源表同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流，減少了測(cè)試時(shí)間。如果被測(cè)設(shè)備實(shí)際電壓值或者電流值達(dá)到了用戶設(shè)置的限制值，那么電壓或者電流會(huì)被精確的限制住，避免了對(duì)被測(cè)設(shè)備造成損壞。

S系列源表讓復(fù)雜測(cè)量變得簡(jiǎn)單

在進(jìn)行 IV 測(cè)量時(shí)，如果使用常規(guī)儀器比如電壓/電流源、開(kāi)關(guān)和萬(wàn)用表，那么測(cè)量過(guò)程將會(huì)非常復(fù)雜和耗時(shí)。用戶必須精通測(cè)量方法和儀器方面的技術(shù)知識(shí)，才能實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的測(cè)量。

S系列源表支持四象限工作，既能擔(dān)當(dāng)精密性電壓/電流源（源模式），又能充當(dāng)電氣負(fù)載被動(dòng)吸收流入的電流（肼模式），而且支持豐富的掃描模式（線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描），能夠執(zhí)行從直流到低頻交流的各種測(cè)量，而無(wú)需更改連接或使用其他設(shè)備。

S系列源表讓復(fù)雜測(cè)量變得高效

源表的輸出電壓（±300V）、電流范圍遠(yuǎn)大于常規(guī)電源，測(cè)試不同功率大小的待測(cè)器件（DUT）基本不用更換設(shè)備，其次源表在小電流測(cè)試時(shí)也具有很高的精度，暗電流測(cè)試準(zhǔn)確，而高精度的電流測(cè)試萬(wàn)用表價(jià)格也是比較高的，再次多臺(tái)源表間可以互聯(lián)觸發(fā)，支持自動(dòng)序列測(cè)試，測(cè)試速度快。

S系列源表內(nèi)置有掃描功能，支持豐富的掃描模式，用戶從儀器前面板上便可快速進(jìn)行掃描測(cè)量并顯示掃描結(jié)果。綜合的掃描測(cè)量功能可以顯著提高效率并縮短測(cè)量設(shè)置時(shí)間。

S系列源表還內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，如LIV、PIV，加速用戶完成測(cè)試。

4 線測(cè)量功能可實(shí)現(xiàn)精確的低電阻測(cè)量

當(dāng)測(cè)量小電阻時(shí)，引線自身的電阻會(huì)造成嚴(yán)重的測(cè)量誤差。為解決這一問(wèn)題，S系列支持 4 線（也稱為開(kāi)爾文法）測(cè)量功能。在 4 線方案中，兩個(gè)連接器輸入電流，另外兩個(gè)連接器測(cè)量電壓。在這種配置下，迫使測(cè)試電流（I）經(jīng)過(guò)一套測(cè)試引線流過(guò)被測(cè)電阻（R）；而待測(cè)器件（DUT）兩端電壓則是通過(guò)稱為檢測(cè)引線的第二套引線來(lái)測(cè)量的。電壓檢測(cè)端為高阻輸入，檢測(cè)引線中電流一般為p*，同時(shí)由于導(dǎo)線電阻很小，引線上的壓降可以忽略不計(jì)，因此采用四線模式可以精確的測(cè)量被測(cè)器件上的實(shí)際電壓。

創(chuàng)新的 GUI 和 5寸觸摸顯示屏方便用戶使用臺(tái)式儀器執(zhí)行測(cè)試、調(diào)試和表征

S系列的前面板具有多種功能特性，可以快速簡(jiǎn)便地進(jìn)行交互式操作。這些特性包括5寸800*480觸摸顯示屏、USB存儲(chǔ)器I/O 端口、快捷鍵和旋鈕。觸摸屏支持全圖形化操作，使用戶可以快速進(jìn)行測(cè)試設(shè)置和檢查測(cè)試結(jié)果。USB存儲(chǔ)器端口使數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)移變得十分方便。創(chuàng)新的圖形用戶界面極大改善了使用臺(tái)式儀器進(jìn)行測(cè)試、調(diào)試和表征的易用性和效率。

國(guó)產(chǎn)PRECISE S200替代吉時(shí)利KEITHLEY2400源表使用操作說(shuō)明書指南手冊(cè)

一、S系列源表按鍵操作說(shuō)明

POWER:電源開(kāi)關(guān)按鍵；

USB接口：版本升級(jí)及數(shù)據(jù)導(dǎo)出接口；

BACK:頁(yè)面返回鍵；

OUTPUT:信號(hào)輸出開(kāi)/關(guān)，當(dāng)OUTPUT為綠色是表示正在輸出，否則停止輸出；

2/4線輸入輸出口：2線時(shí)輸入輸出口為（FORCE HI、FORCE LO）,四線時(shí)輸入輸出口為（FORCE HI、SENSEHI、SENSELO、FORCE LO）；注意：四線模式時(shí)需確保對(duì)應(yīng)的連接線已接好，否則會(huì)有安全風(fēng)險(xiǎn)；

旋轉(zhuǎn)按鈕：量程、數(shù)值設(shè)定；

二、主界面功能介紹

如圖1.2所示，源表按下電源開(kāi)關(guān)后顯示為當(dāng)前主界面。源表主界面為可觸屏操作，點(diǎn)擊對(duì)應(yīng)功能模塊進(jìn)入操作頁(yè)面，各模塊功能簡(jiǎn)介如下：

測(cè)量：設(shè)置源表模式為源模式（電壓源、電流源）或測(cè)量模式（測(cè)量電壓、電流）；

設(shè)置：包括網(wǎng)絡(luò)IP和系統(tǒng)升級(jí)以及輸出模式等各項(xiàng)設(shè)置；

版本信息：顯示當(dāng)前Qt、模擬板、前面板版本信息；

掃描：測(cè)量待測(cè)器件的V/I變化曲線；

快速模式：選擇了電壓源或電流源模式后的源量程值和*程值默認(rèn)范圍更適合；

校準(zhǔn)：對(duì)機(jī)器精度進(jìn)行校準(zhǔn)（暫未對(duì)用戶開(kāi)放）；

注意：

1.插拔線時(shí)務(wù)必確保機(jī)器處于輸出關(guān)閉態(tài).高于36V輸出時(shí),即使設(shè)備處于輸出關(guān)閉態(tài),也請(qǐng)不要用手觸摸輸出接口.

2.設(shè)置四線測(cè)試前,請(qǐng)先將四線電纜連接好并插入機(jī)器相對(duì)應(yīng)的測(cè)試孔,然后在觸摸面板選擇四線,再啟動(dòng)輸出.

3.四線測(cè)試使用完畢后請(qǐng)先將四線測(cè)試設(shè)置為二線測(cè)試,然后關(guān)閉輸出,再拔出測(cè)試線.

三、源表掃描設(shè)置

掃描設(shè)置界面

該界面主要分為3個(gè)區(qū)域，具體區(qū)域說(shuō)明如下：

區(qū)域1：選擇源類型、切換2/4線、前后面板和是否保存結(jié)果；

區(qū)域2：設(shè)置開(kāi)始值和結(jié)束值，可以選擇掃描點(diǎn)或者步進(jìn)值來(lái)設(shè)定掃描點(diǎn)數(shù)和步進(jìn)值大小以及限值大小。

區(qū)域3：開(kāi)始掃描和查看結(jié)果；

掃描狀態(tài)界面

開(kāi)始值、結(jié)束值、掃描點(diǎn)數(shù)、限值和延時(shí)大小都通過(guò)點(diǎn)擊選項(xiàng)框后出現(xiàn)的軟鍵盤設(shè)置對(duì)應(yīng)大小，如圖所示：

操作步驟

第1步：源類型選擇、2線/4線、前后面板切換、是否保存結(jié)果分別單擊對(duì)應(yīng)選項(xiàng)框和下拉框內(nèi)容，切換后界面如圖所示：

第2步：開(kāi)始值、結(jié)束值、掃描點(diǎn)數(shù)、限值和延時(shí)大小都通過(guò)點(diǎn)擊選項(xiàng)框后出現(xiàn)的軟鍵盤設(shè)置對(duì)應(yīng)大小，如圖所示：

第3步：掃描點(diǎn)類型以及各值的單位設(shè)置，如圖所示點(diǎn)擊對(duì)應(yīng)下拉框：

第4步：等待完成后生成對(duì)應(yīng)的曲線圖，這里以掃描二極管曲線為例，如圖所示：